IGBT Non IXYSCanal-Type N, 32 A, 1700 V, 3 broches, TO-247AD Traversant
- Code commande RS:
- 194-776
- Numéro d'article Distrelec:
- 302-53-412
- Référence fabricant:
- IXGH16N170
- Marque:
- IXYS
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- Code commande RS:
- 194-776
- Numéro d'article Distrelec:
- 302-53-412
- Référence fabricant:
- IXGH16N170
- Marque:
- IXYS
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 32A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1700V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 190W | |
| Type de Boitier | TO-247AD | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 3.5V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 15.75 mm | |
| Normes/homologations | UL 94 V-0 | |
| Série | High Voltage | |
| Longueur | 19.81mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 32A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1700V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 190W | ||
Type de Boitier TO-247AD | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 3.5V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 15.75 mm | ||
Normes/homologations UL 94 V-0 | ||
Série High Voltage | ||
Longueur 19.81mm | ||
Standard automobile Non | ||
IGBT Discrétes, IXYS
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Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.