IGBT, IGQ75N120S7XKSA1, , 75 A, 1 200 V, PG-TO247-3-PLUS-N, 3 broches

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Code commande RS:
284-979
Référence fabricant:
IGQ75N120S7XKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Courant continu de Collecteur maximum

75 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

1 200 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Dissipation de puissance maximum

630 W

Nombre de transistors

1

Configuration

Collecteur simple, émetteur simple, porte simple

Type de boîtier

PG-TO247-3-PLUS-N

Type de montage

Traversant

Type de canal

N

Nombre de broches

3

L'IGBT d'Infineon est conçu pour fonctionner efficacement à 1200 V tout en garantissant des performances robustes dans les applications exigeantes. Doté d'une technologie de tranchée de pointe, ce dispositif excelle dans la gestion de niveaux de courant élevés allant jusqu'à 75 A, ce qui le rend idéal pour les alimentations industrielles et les systèmes d'énergie renouvelable tels que les onduleurs solaires. La conception méticuleuse garantit une faible tension de saturation et une grande contrôlabilité dv/dt, améliorant ainsi la fiabilité et l'efficacité des systèmes de conversion d'énergie. Mettant l'accent sur la durabilité, cet IGBT est validé pour les applications industrielles conformément aux normes JEDEC strictes, ce qui garantit qu'il répond aux exigences rigoureuses de l'électronique moderne.

Conçu avec la technologie des tranchées pour plus d'efficacité
La robustesse en cas de court-circuit garantit des performances fiables
Large plage de températures pour diverses applications
La réduction des pertes de commutation améliore la gestion thermique
Optimisé pour une utilisation industrielle de haute performance
Modèles PSpice complets pour une intégration facile
La faible charge de grille permet des vitesses de commutation plus rapides

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