IGBT, IKWH50N65EH7XKSA1, , 80 A, 650 V, PG-TO247-3-STD-NN4.8, 3 broches

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Code commande RS:
285-011
Référence fabricant:
IKWH50N65EH7XKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Courant continu de Collecteur maximum

80 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

650 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Dissipation de puissance maximum

249 W

Nombre de transistors

1

Configuration

Collecteur simple, émetteur simple, porte simple

Type de boîtier

PG-TO247-3-STD-NN4.8

Type de montage

Traversant

Type de canal

N

Nombre de broches

3

L'IGBT d'Infineon est un IGBT sophistiqué à haute vitesse conçu pour offrir des performances impressionnantes dans les applications exigeantes. Utilisant une technologie avancée d'arrêt de tranchée, ce dispositif 650V offre des pertes de commutation considérablement réduites et une tension de saturation de l'émetteur du collecteur très basse. Sa conception robuste garantit une fiabilité exceptionnelle, ce qui en fait un choix idéal pour les systèmes à haut rendement énergétique, tels que les onduleurs industriels et les solutions de recharge de véhicules électriques. Avec d'excellentes caractéristiques de gestion thermique et une conformité aux normes JEDEC rigoureuses, ce dispositif se distingue par sa polyvalence et sa durabilité dans diverses applications.

De faibles pertes de commutation améliorent l'efficacité
Résistance à l'humidité pour un fonctionnement fiable
Optimisé pour les topologies à deux et trois niveaux
La diode de récupération douce et rapide améliore les performances
Fiabilité validée selon les normes industrielles
Gamme complète de produits et modèles PSpice
Courant collecteur élevé pour les applications exigeantes

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