Module IGBT Non StarpowerCanal-N Double, 75 A, 1200 V, 7 broches, Module 2
- Code commande RS:
- 427-797
- Référence fabricant:
- GD75HFU120C1SD
- Marque:
- Starpower
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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| 10 - 99 | 35,04 € |
| 100 + | 32,32 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 427-797
- Référence fabricant:
- GD75HFU120C1SD
- Marque:
- Starpower
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Starpower | |
| Type de produit | Module IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 75A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1200V | |
| Nombre de transistors | 2 | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 484W | |
| Type de Boitier | Module | |
| Configuration | Double | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 3.25V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Starpower | ||
Type de produit Module IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 75A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V | ||
Nombre de transistors 2 | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 484W | ||
Type de Boitier Module | ||
Configuration Double | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 7 | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 3.25V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le module d'alimentation Starpower IGBT fournit une vitesse de commutation ultra rapide ainsi qu'une robustesse de court-circuit. Ils sont conçus pour les applications telles que le soudage électronique et le chauffage inductif.
Faibles pertes de commutation
VCE(sat) avec coefficient de température positif
Boîtier à faible inductance
Récupération inverse rapide et souple anti-FWD parallèle
Plaque de base en cuivre isolée à l'aide de la technologie DBC
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