Module de puissance IGBT Non StarpowerCanal-N PIM, 75 A, 1200 V, 31 broches 7
- Code commande RS:
- 427-841
- Référence fabricant:
- GD75PIA120C5SN
- Marque:
- Starpower
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 427-841
- Référence fabricant:
- GD75PIA120C5SN
- Marque:
- Starpower
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Starpower | |
| Type de produit | Module de puissance IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 75A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1200V | |
| Nombre de transistors | 7 | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 20mW | |
| Configuration | PIM | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 31 | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.95V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Starpower | ||
Type de produit Module de puissance IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 75A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V | ||
Nombre de transistors 7 | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 20mW | ||
Configuration PIM | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 31 | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.95V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le module d'alimentation IGBT Starpower fournit une perte de conduction ultra-faible ainsi qu'une robustesse de court-circuit. Ils sont conçus pour les applications telles que les inverseurs généraux et les UPS.
VCE(sat) avec coefficient de température positif
Température de jonction maximale de 175 °C
Boîtier à faible inductance
Récupération inverse rapide et souple anti-FWD parallèle
Plaque de base en cuivre isolée à l'aide de la technologie DBC
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