Discrete IGBT Non MicrochipCanal-Canal N, 69 A, 1200 V, 3 broches, TO-247 1 Traversant

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Code commande RS:
838-597
Référence fabricant:
APT25GP120BSC15
Marque:
Microchip
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Marque

Microchip

Courant continu de Collecteur maximum lc

69A

Type de produit

Discrete IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1200V

Dissipation de puissance maximum Pd

417W

Nombre de transistors

1

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Traversant

Type de canal

Canal N

Nombre de broches

3

Longueur

41.78mm

Hauteur

5.31mm

Largeur

16.26mm

Normes/homologations

JEDC

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
PH
L'IGBT Punch Through de Microchip intègre un transistor MOS 7 de puissance haute performance de 1 200 V 25 A avec une diode Schottky antiparallèle en carbure de silicium.

Tension nominale collecteur-émetteur maximale de 1 200 V

Technologie de perforation Power MOS 7 avancée

Diode Schottky antiparallèle SiC intégrée

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