IGBT discret Non Starpower, 80 A, 1200 V, 3 broches, TO-247
- Code commande RS:
- 427-732
- Référence fabricant:
- DG40X12T2
- Marque:
- Starpower
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,47 € |
| 10 - 99 | 4,03 € |
| 100 - 499 | 3,71 € |
| 500 - 999 | 3,45 € |
| 1000 + | 2,79 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 427-732
- Référence fabricant:
- DG40X12T2
- Marque:
- Starpower
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Starpower | |
| Type de produit | IGBT discret | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 80A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1200V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 468W | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2.35V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Série | DOSEMI | |
| Normes/homologations | Lead free package | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Starpower | ||
Type de produit IGBT discret | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 80A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 468W | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.35V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Série DOSEMI | ||
Normes/homologations Lead free package | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
La puissance discrète IGBT Starpower fournit une perte de conduction ultra-faible ainsi qu'une faible perte de commutation. Ils sont conçus pour les applications telles que les inverseurs généraux et les UPS.
Faible perte de commutation
Température de jonction maximale de 175 °C
Boîtier à faible inductance
VCE(sat) avec coefficient de température positif
Récupération inverse rapide et souple anti-FWD parallèle
Boîtier sans plomb