IGBT, IHW30N135R3FKSA1, , 30 A, 1350 V, A-247, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 110-7449
- Référence fabricant:
- IHW30N135R3FKSA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 paquet de 3 unités)*
14,661 €
HT
17,592 €
TTC
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- 6 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
- 12 unité(s) finale(s) expédiée(s) à partir du 09 janvier 2026
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 3 - 12 | 4,887 € | 14,66 € |
| 15 - 27 | 4,397 € | 13,19 € |
| 30 - 72 | 4,107 € | 12,32 € |
| 75 - 147 | 3,81 € | 11,43 € |
| 150 + | 3,517 € | 10,55 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 110-7449
- Référence fabricant:
- IHW30N135R3FKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 30 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1350 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 349 W | |
| Type de boîtier | A-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | |
| Capacité de grille | 2066pF | |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C | |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 30 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1350 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 349 W | ||
Type de boîtier A-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 16.13 x 5.21 x 21.1mm | ||
Capacité de grille 2066pF | ||
Température de fonctionnement minimum -40 °C | ||
Température d'utilisation maximum +175 °C | ||
Transistors IGBT TrenchStop d'Infineon, 1 100 à 1 600 V
Une gamme de transistors IGBT d'Infineon avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 1 100 à 1 600 V comportant la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.
Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 1 100 à 1 600 V
VCEsat très faible
Pertes de mise hors tension faibles
Courant d'extrémité court
IEM faible
Température de jonction maximale 175 °C
VCEsat très faible
Pertes de mise hors tension faibles
Courant d'extrémité court
IEM faible
Température de jonction maximale 175 °C
IGBT Discretes et modules, Infineon
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
