Module IGBT, IXGN320N60A3, , 320 A, 600 V, SOT-227B, 4 broches, Emetteur commun
- Code commande RS:
- 125-8046
- Référence fabricant:
- IXGN320N60A3
- Marque:
- IXYS
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 1 | 47,38 € |
| 2 - 4 | 41,13 € |
| 5 - 9 | 40,04 € |
| 10 - 19 | 38,99 € |
| 20 + | 38,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 125-8046
- Référence fabricant:
- IXGN320N60A3
- Marque:
- IXYS
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 320 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 600 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 735 W | |
| Configuration | Simple | |
| Type de boîtier | SOT-227B | |
| Type de montage | CMS | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Vitesse de découpage | 5kHz | |
| Configuration du transistor | Emetteur commun | |
| Dimensions | 38.23 x 25.07 x 9.6mm | |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Courant continu de Collecteur maximum 320 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 735 W | ||
Configuration Simple | ||
Type de boîtier SOT-227B | ||
Type de montage CMS | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 4 | ||
Vitesse de découpage 5kHz | ||
Configuration du transistor Emetteur commun | ||
Dimensions 38.23 x 25.07 x 9.6mm | ||
Température de fonctionnement minimum -55 °C | ||
Température d'utilisation maximum +150 °C | ||
IGBT Discrétes, IXYS
IGBT Discretes et modules, IXYS
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.