Module IGBT Non IXYSCanal-Type N, 320 A, 600 V 5 kHz, 4 broches, SOT-227 Surface
- Code commande RS:
- 168-4582
- Référence fabricant:
- IXGN320N60A3
- Marque:
- IXYS
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363,51 €
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 10 + | 36,351 € | 363,51 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 168-4582
- Référence fabricant:
- IXGN320N60A3
- Marque:
- IXYS
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Type de produit | Module IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 320A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 600V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 735W | |
| Type de Boitier | SOT-227 | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Vitesse de découpage | 5kHz | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Série | Low-Frequency | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 25.07 mm | |
| Hauteur | 9.6mm | |
| Longueur | 38.23mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Type de produit Module IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 320A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 600V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 735W | ||
Type de Boitier SOT-227 | ||
Type de montage Surface | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 4 | ||
Vitesse de découpage 5kHz | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Série Low-Frequency | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 25.07 mm | ||
Hauteur 9.6mm | ||
Longueur 38.23mm | ||
Standard automobile Non | ||
IGBT Discrétes, IXYS
IGBT Discretes et modules, IXYS
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.