IGBT Non IXYSCanal-Type N, 570 A, 650 V 30 kHz, 3 broches, TO-264 Traversant
- Code commande RS:
- 125-8051
- Référence fabricant:
- IXXK110N65B4H1
- Marque:
- IXYS
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 1 | 17,73 € |
| 2 - 4 | 15,89 € |
| 5 - 9 | 15,09 € |
| 10 - 24 | 14,38 € |
| 25 + | 13,64 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 125-8051
- Référence fabricant:
- IXXK110N65B4H1
- Marque:
- IXYS
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 570A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 880W | |
| Type de Boitier | TO-264 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 30kHz | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2.1V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Série | Trench | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Energie | 3mJ | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 570A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 880W | ||
Type de Boitier TO-264 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 30kHz | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.1V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Série Trench | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Energie 3mJ | ||
IGBT Discrétes, IXYS
IGBT Discretes et modules, IXYS
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.