IGBT à grande vitesse Non IXYSCanal-Type N, 40 A, 1200 V 50 kHz, 3 broches, TO-220 Traversant

Voir l’ensemble des IGBT

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

11,95 €

HT

14,34 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • Plus 42 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
2 +5,975 €11,95 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
808-0243
Référence fabricant:
IXYP20N120C3
Marque:
IXYS
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

IXYS

Type de produit

IGBT à grande vitesse

Courant continu de Collecteur maximum lc

40A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1200V

Dissipation de puissance maximum Pd

278W

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Traversant

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Vitesse de découpage

50kHz

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

4V

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±20 V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

International Standard Packages

Série

GenX3TM IGBTs

Standard automobile

Non

IGBT Discretes, IXYS série XPT


La gamme XPT™ d'IGBT discrets d'IXYS intègre la technologie de galette fine Extreme-light Punch-Through, qui permet de réduire la résistance thermique et les pertes énergétiques. Ces circuits offrent un temps de commutation court avec un faible courant de queue, et sont disponibles dans une large variété de boîtiers standards et propriétaires.

Forte densité de puissance et faible Vce(sat)

RBSOA (Square Reverse Bias Safe Operating Areas, ou aires de sécurité inverse) jusqu'à la tension d'isolement nominale

Capacité de court-circuit pendant 10 μs

Coefficient de température positive en tension à l'état passant

Diodes Sonic-FRD™ ou HiPerFRED™ dans le même boîtier proposé en option

Boîtiers haute tension aux normes internationales et propriétaires

IGBT Discretes et modules, IXYS


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

Nos clients ont également consulté