IGBT à grande vitesse Non IXYSCanal-Type N, 100 A, 1200 V 50 kHz, 3 broches, TO-264 Traversant

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Code commande RS:
808-0293
Numéro d'article Distrelec:
302-53-451
Référence fabricant:
IXYK100N120C3
Marque:
IXYS
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Marque

IXYS

Courant continu de Collecteur maximum lc

100A

Type de produit

IGBT à grande vitesse

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1200V

Dissipation de puissance maximum Pd

1150W

Type de Boitier

TO-264

Type de montage

Traversant

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Vitesse de découpage

50kHz

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±20 V

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

3.5V

Température d'utilisation maximum

175°C

Série

GenX3TM

Normes/homologations

International Standard Packages

Longueur

20.32mm

Largeur

16.13 mm

Standard automobile

Non

IGBT Discretes, IXYS série XPT


La gamme XPT™ d'IGBT discrets d'IXYS intègre la technologie de galette fine Extreme-light Punch-Through, qui permet de réduire la résistance thermique et les pertes énergétiques. Ces circuits offrent un temps de commutation court avec un faible courant de queue, et sont disponibles dans une large variété de boîtiers standards et propriétaires.

Forte densité de puissance et faible Vce(sat)

RBSOA (Square Reverse Bias Safe Operating Areas, ou aires de sécurité inverse) jusqu'à la tension d'isolement nominale

Capacité de court-circuit pendant 10 μs

Coefficient de température positive en tension à l'état passant

Diodes Sonic-FRD™ ou HiPerFRED™ dans le même boîtier proposé en option

Boîtiers haute tension aux normes internationales et propriétaires

IGBT Discretes et modules, IXYS


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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