IGBT, IXYH82N120C3, , 200 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 808-0290
- Référence fabricant:
- IXYH82N120C3
- Marque:
- IXYS
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 unité)*
22,48 €
HT
26,98 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 264 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 5 | 22,48 € |
| 6 - 14 | 20,19 € |
| 15 + | 19,27 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 808-0290
- Référence fabricant:
- IXYH82N120C3
- Marque:
- IXYS
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 200 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 1 250 W | |
| Type de boîtier | A-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 50kHz | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 16.26 x 5.3 x 21.46mm | |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C | |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Courant continu de Collecteur maximum 200 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1200 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 1 250 W | ||
Type de boîtier A-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 50kHz | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 16.26 x 5.3 x 21.46mm | ||
Température d'utilisation maximum +175 °C | ||
Température de fonctionnement minimum -55 °C | ||
IGBT Discretes, IXYS série XPT
La gamme XPT™ d'IGBT discrets d'IXYS intègre la technologie de galette fine Extreme-light Punch-Through, qui permet de réduire la résistance thermique et les pertes énergétiques. Ces circuits offrent un temps de commutation court avec un faible courant de queue, et sont disponibles dans une large variété de boîtiers standards et propriétaires.
Forte densité de puissance et faible Vce(sat)
RBSOA (Square Reverse Bias Safe Operating Areas, ou aires de sécurité inverse) jusqu'à la tension d'isolement nominale
Capacité de court-circuit pendant 10 μs
Coefficient de température positive en tension à l'état passant
Diodes Sonic-FRD™ ou HiPerFRED™ dans le même boîtier proposé en option
Boîtiers haute tension aux normes internationales et propriétaires
RBSOA (Square Reverse Bias Safe Operating Areas, ou aires de sécurité inverse) jusqu'à la tension d'isolement nominale
Capacité de court-circuit pendant 10 μs
Coefficient de température positive en tension à l'état passant
Diodes Sonic-FRD™ ou HiPerFRED™ dans le même boîtier proposé en option
Boîtiers haute tension aux normes internationales et propriétaires
IGBT Discretes et modules, IXYS
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.