IGBT à grande vitesse Non IXYSCanal-Type N, 82 A, 1200 V 50 kHz, 3 broches, TO-247 Traversant

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Code commande RS:
920-1016
Référence fabricant:
IXYH82N120C3
Marque:
IXYS
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Marque

IXYS

Type de produit

IGBT à grande vitesse

Courant continu de Collecteur maximum lc

82A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1200V

Dissipation de puissance maximum Pd

1250W

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Traversant

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Vitesse de découpage

50kHz

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±20 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

3.2V

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

16.26 mm

Série

1200V XPTTM IGBT GenX3TM

Longueur

20.32mm

Normes/homologations

International Standard Package

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
US

IGBT Discretes, IXYS série XPT


La gamme XPT™ d'IGBT discrets d'IXYS intègre la technologie de galette fine Extreme-light Punch-Through, qui permet de réduire la résistance thermique et les pertes énergétiques. Ces circuits offrent un temps de commutation court avec un faible courant de queue, et sont disponibles dans une large variété de boîtiers standards et propriétaires.

Forte densité de puissance et faible Vce(sat)

RBSOA (Square Reverse Bias Safe Operating Areas, ou aires de sécurité inverse) jusqu'à la tension d'isolement nominale

Capacité de court-circuit pendant 10 μs

Coefficient de température positive en tension à l'état passant

Diodes Sonic-FRD™ ou HiPerFRED™ dans le même boîtier proposé en option

Boîtiers haute tension aux normes internationales et propriétaires

IGBT Discretes et modules, IXYS


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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