Références fabricant

IGBT à grande vitesse Non IXYSCanal-Type N, 50 A, 1200 V 50 kHz, 3 broches, TO-247 Traversant

Code commande RS:: 808-0281
Numéro d'article Distrelec:: 302-53-449
Référence fabricant:: IXYH50N120C3D1
Marque:: IXYS

IGBT à grande vitesse Non IXYSCanal-Type N, 50 A, 1200 V 50 kHz, 3 broches, TO-247 Traversant

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Code commande RS:: 808-0281
Numéro d'article Distrelec:: 302-53-449
Référence fabricant:: IXYH50N120C3D1
Marque:: IXYS

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	IXYS
	Type de produit	IGBT à grande vitesse
	Courant continu de Collecteur maximum lc	50A
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo	1200V
	Dissipation de puissance maximum Pd	625W
	Type de Boitier	TO-247
	Type de montage	Traversant
	Type de canal	Type N
	Nombre de broches	3
	Vitesse de découpage	50kHz
	Température minimum de fonctionnement	-55°C
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum	4V
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO	±20 V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Série	GenX3TM
	Normes/homologations	International Standard Package
	Longueur	20.32mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque IXYS
	Type de produit IGBT à grande vitesse
	Courant continu de Collecteur maximum lc 50A
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V
	Dissipation de puissance maximum Pd 625W
	Type de Boitier TO-247
	Type de montage Traversant
	Type de canal Type N
	Nombre de broches 3
	Vitesse de découpage 50kHz
	Température minimum de fonctionnement -55°C
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 4V
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Série GenX3TM
	Normes/homologations International Standard Package
	Longueur 20.32mm
	Standard automobile Non

IXYH50N120C3D1, 1200V XPT IGBT GenX3 w/ Diode, High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching

IGBT Discretes, IXYS série XPT

La gamme XPT™ d'IGBT discrets d'IXYS intègre la technologie de galette fine Extreme-light Punch-Through, qui permet de réduire la résistance thermique et les pertes énergétiques. Ces circuits offrent un temps de commutation court avec un faible courant de queue, et sont disponibles dans une large variété de boîtiers standards et propriétaires.

Forte densité de puissance et faible Vce(sat)

RBSOA (Square Reverse Bias Safe Operating Areas, ou aires de sécurité inverse) jusqu'à la tension d'isolement nominale

Capacité de court-circuit pendant 10 μs

Coefficient de température positive en tension à l'état passant

Diodes Sonic-FRD™ ou HiPerFRED™ dans le même boîtier proposé en option

Boîtiers haute tension aux normes internationales et propriétaires

IGBT Discretes et modules, IXYS

Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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