IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 200 A, 600 V, 4 broches, ISOTOP Serre-joints

Sous-total (1 tube de 10 unités)*

234,76 €

HT

281,71 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • Plus 570 unité(s) expédiée(s) à partir du 25 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
10 +23,476 €234,76 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
168-6463
Référence fabricant:
STGE200NB60S
Marque:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Courant continu de Collecteur maximum lc

200A

Type de produit

IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

600V

Dissipation de puissance maximum Pd

600W

Type de Boitier

ISOTOP

Type de montage

Serre-joints

Type de canal

Type N

Nombre de broches

4

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±20 V

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.6V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

ECOPACK, JESD97

Hauteur

12.2mm

Série

Powermesh

Longueur

38.2mm

Standard automobile

Non

Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics


IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

Nos clients ont également consulté