IGBT STMicroelectronics, canal N, 200 A, 600 V, 4 broches , ISOTOP, montage Serre-joints
- Code commande RS:
- 168-6463
- Référence fabricant:
- STGE200NB60S
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 168-6463
- Référence fabricant:
- STGE200NB60S
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 200A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 600V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 600W | |
| Type de Boitier | ISOTOP | |
| Type de montage | Serre-joints | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.6V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 31.7mm | |
| Normes/homologations | ECOPACK, JESD97 | |
| Série | Powermesh | |
| Hauteur | 12.2mm | |
| Longueur | 38.2mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 200A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 600V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 600W | ||
Type de Boitier ISOTOP | ||
Type de montage Serre-joints | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 4 | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.6V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 31.7mm | ||
Normes/homologations ECOPACK, JESD97 | ||
Série Powermesh | ||
Hauteur 12.2mm | ||
Longueur 38.2mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
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