Références fabricant

IGBT STMicroelectronics, canal Type N, 200 A, 600 V, 4 broches , ISOTOP, montage Serre-joints

Code commande RS:: 686-8348
Référence fabricant:: STGE200NB60S
Marque:: STMicroelectronics

IGBT STMicroelectronics, canal Type N, 200 A, 600 V, 4 broches , ISOTOP, montage Serre-joints

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Code commande RS:: 686-8348
Référence fabricant:: STGE200NB60S
Marque:: STMicroelectronics

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Courant continu de Collecteur maximum lc	200A
	Type de produit	IGBT
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo	600V
	Dissipation de puissance maximum Pd	600W
	Type de Boitier	ISOTOP
	Type de montage	Serre-joints
	Type de canal	Type N
	Nombre de broches	4
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum	1.6V
	Température minimum de fonctionnement	-55°C
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO	±20 V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Série	Powermesh
	Longueur	38.2mm
	Hauteur	12.2mm
	Normes/homologations	ECOPACK, JESD97
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Courant continu de Collecteur maximum lc 200A
	Type de produit IGBT
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 600V
	Dissipation de puissance maximum Pd 600W
	Type de Boitier ISOTOP
	Type de montage Serre-joints
	Type de canal Type N
	Nombre de broches 4
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.6V
	Température minimum de fonctionnement -55°C
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Série Powermesh
	Longueur 38.2mm
	Hauteur 12.2mm
	Normes/homologations ECOPACK, JESD97
	Standard automobile Non

Datasheet

Pays d'origine :: CN

Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics

IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics

Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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