IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 9 A, 600 V 1 MHz, 3 broches, TO-220 Traversant

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Code commande RS:
168-7163
Référence fabricant:
STGF10NC60KD
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

9A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

600V

Dissipation de puissance maximum Pd

25W

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Traversant

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Vitesse de découpage

1MHz

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2.5V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Série

Low Drop

Longueur

10.4mm

Largeur

4.6 mm

Hauteur

16.4mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics


IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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