IGBT, STGF14NC60KD, , 11 A, 600 V, TO-220FP, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 168-7736
- Référence fabricant:
- STGF14NC60KD
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 tube de 50 unités)*
54,05 €
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,081 € | 54,05 € |
| 100 - 450 | 0,81 € | 40,50 € |
| 500 - 950 | 0,714 € | 35,70 € |
| 1000 - 4950 | 0,695 € | 34,75 € |
| 5000 + | 0,678 € | 33,90 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 168-7736
- Référence fabricant:
- STGF14NC60KD
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 11 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 600 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 28 W | |
| Type de boîtier | TO-220FP | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 1MHz | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 10.4 x 4.6 x 16.4mm | |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Courant continu de Collecteur maximum 11 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 28 W | ||
Type de boîtier TO-220FP | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 1MHz | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 10.4 x 4.6 x 16.4mm | ||
Température de fonctionnement minimum -55 °C | ||
Température d'utilisation maximum +150 °C | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.