IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 40 A, 600 V 1 MHz, 3 broches, TO-220 Traversant
- Code commande RS:
- 791-9349
- Référence fabricant:
- STGF20H60DF
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
13,14 €
HT
15,77 €
TTC
Ajouter 20 unités pour bénéficier d'une livraison gratuite
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 26 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,628 € | 13,14 € |
| 25 - 45 | 2,556 € | 12,78 € |
| 50 - 120 | 2,488 € | 12,44 € |
| 125 - 245 | 2,428 € | 12,14 € |
| 250 + | 2,366 € | 11,83 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 791-9349
- Référence fabricant:
- STGF20H60DF
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 40A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 600V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 167W | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 1MHz | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Série | Trench Gate Field Stop | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Largeur | 4.6 mm | |
| Hauteur | 16.4mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 40A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 600V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 167W | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 1MHz | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Série Trench Gate Field Stop | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.4mm | ||
Largeur 4.6 mm | ||
Hauteur 16.4mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.