IGBT AEC-Q101 onsemiCanal-Type N, 100 A, 650 V, 3 broches, TO-247 Traversant
- Code commande RS:
- 214-8785
- Référence fabricant:
- AFGY100T65SPD
- Marque:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 7,107 € | 213,21 € |
| 60 - 60 | 6,837 € | 205,11 € |
| 90 + | 6,745 € | 202,35 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 214-8785
- Référence fabricant:
- AFGY100T65SPD
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 100A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 660W | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.6V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | AEC-Q101 | |
| Série | AFGY100T65SPD | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 100A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 660W | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.6V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations AEC-Q101 | ||
Série AFGY100T65SPD | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
on Semiconductor série AFGY est un IGBT avec diode à récupération rapide souple qui offre une très faible conduction et des pertes de commutation pour un fonctionnement à haut rendement dans diverses applications, une fiabilité transitoire robuste et un faible IEM.
Distribution de paramètres serrée
Impédance d'entrée élevée
Robustesse en court-circuit
Coemballé avec une diode de récupération rapide et souple
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