Références fabricant

IGBT à arrêt de champ AEC-Q101 onsemiCanal-Type N, 80 A, 600 V 25 ns, 3 broches, TO-247 Traversant

Code commande RS:: 759-9267
Référence fabricant:: FGH40N60SFDTU
Marque:: onsemi

IGBT à arrêt de champ AEC-Q101 onsemiCanal-Type N, 80 A, 600 V 25 ns, 3 broches, TO-247 Traversant

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Code commande RS:: 759-9267
Référence fabricant:: FGH40N60SFDTU
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Courant continu de Collecteur maximum lc	80A
	Type de produit	IGBT à arrêt de champ
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo	600V
	Dissipation de puissance maximum Pd	290W
	Type de Boitier	TO-247
	Type de montage	Traversant
	Type de canal	Type N
	Nombre de broches	3
	Vitesse de découpage	25ns
	Température minimum de fonctionnement	-55°C
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO	±20 V
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum	2.3V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Normes/homologations	RoHS
	Série	Field Stop
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Courant continu de Collecteur maximum lc 80A
	Type de produit IGBT à arrêt de champ
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 600V
	Dissipation de puissance maximum Pd 290W
	Type de Boitier TO-247
	Type de montage Traversant
	Type de canal Type N
	Nombre de broches 3
	Vitesse de découpage 25ns
	Température minimum de fonctionnement -55°C
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.3V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Normes/homologations RoHS
	Série Field Stop
	Standard automobile AEC-Q101

Datasheet

IGBT discrets, Fairchild Semiconductor

Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor

Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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