IGBT à arrêt de champ onsemi, canal N, 80 A, 600 V, 25 ns, 3 broches , TO-247, montage Traversant

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759-9267
Référence fabricant:
FGH40N60SFDTU
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

IGBT à arrêt de champ

Courant continu de Collecteur maximum lc

80A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

600V

Dissipation de puissance maximum Pd

290W

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Traversant

Type de canal

N

Nombre de broches

3

Vitesse de découpage

25ns

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2.3V

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±20 V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Série

Field Stop

Standard automobile

AEC-Q101

IGBT discrets, Fairchild Semiconductor


Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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