IGBT, FGH40N60SFDTU, , 80 A, 600 V, A-247, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 124-1334
- Référence fabricant:
- FGH40N60SFDTU
- Marque:
- onsemi
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80,46 €
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 2,682 € | 80,46 € |
| 60 - 120 | 2,602 € | 78,06 € |
| 150 - 270 | 2,522 € | 75,66 € |
| 300 + | 2,414 € | 72,42 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 124-1334
- Référence fabricant:
- FGH40N60SFDTU
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 80 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 600 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 290 W | |
| Type de boîtier | A-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 15.6 x 4.7 x 20.6mm | |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C | |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Courant continu de Collecteur maximum 80 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 290 W | ||
Type de boîtier A-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 15.6 x 4.7 x 20.6mm | ||
Température d'utilisation maximum +150 °C | ||
Température de fonctionnement minimum -55 °C | ||
IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.