IGBT à tranchée à arrêt de champ AEC-Q101 onsemiCanal-Type N, 80 A, 650 V, 3 broches, TO-247 Traversant

Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

39,18 €

HT

47,02 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 29 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 - 903,918 €39,18 €
100 - 2403,377 €33,77 €
250 +2,928 €29,28 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
202-5669
Référence fabricant:
AFGHL40T65SQ
Marque:
onsemi
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

onsemi

Type de produit

IGBT à tranchée à arrêt de champ

Courant continu de Collecteur maximum lc

80A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

650V

Dissipation de puissance maximum Pd

1W

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Traversant

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.6V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±3 V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Série

Trench

Standard automobile

AEC-Q101

L'IGBT on Semiconductor à tranchée d'arrêt de champ offre les performances optimales pour la topologie de commutation rigide et souple dans les applications automobiles. C'est un IGBT autonome.

Certifié AEC-Q101

Capacité de courant élevé

Commutation rapide

Distribution de paramètres serrée

Conforme à la directive RoHS

Nos clients ont également consulté