IGBT à tranchée à arrêt de champ onsemi, canal N, 80 A, 650 V, 3 broches , TO-247, montage Traversant

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Code commande RS:
202-5668
Référence fabricant:
AFGHL40T65SQ
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

IGBT à tranchée à arrêt de champ

Courant continu de Collecteur maximum lc

80A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

650V

Dissipation de puissance maximum Pd

1W

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Traversant

Type de canal

N

Nombre de broches

3

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.6V

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±3 V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Série

Trench

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

AEC-Q101

L'IGBT on Semiconductor à tranchée d'arrêt de champ offre les performances optimales pour la topologie de commutation rigide et souple dans les applications automobiles. C'est un IGBT autonome.

Certifié AEC-Q101

Capacité de courant élevé

Commutation rapide

Distribution de paramètres serrée

Conforme à la directive RoHS

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