IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 10 A, 600 V, 3 broches, TO-252 Surface

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Code commande RS:
165-8040
Référence fabricant:
STGD5H60DF
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt

Courant continu de Collecteur maximum lc

10A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

600V

Dissipation de puissance maximum Pd

88W

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

Surface

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.95V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±20 V

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

2.4mm

Longueur

6.6mm

Normes/homologations

RoHS

Série

H

Largeur

6.2 mm

Energie

221mJ

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics


IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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