Références fabricant

IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt STMicroelectronics, canal Type N, 10 A, 600 V, 3 broches , TO-252, montage En

Code commande RS:: 165-8040
Référence fabricant:: STGD5H60DF
Marque:: STMicroelectronics

IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt STMicroelectronics, canal Type N, 10 A, 600 V, 3 broches , TO-252, montage En

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

1 160,00 €

1 392,50 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
2500 +	0,464 €	1 160,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 165-8040
Référence fabricant:: STGD5H60DF
Marque:: STMicroelectronics

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Type de produit	IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt
	Courant continu de Collecteur maximum lc	10A
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo	600V
	Dissipation de puissance maximum Pd	88W
	Type de Boitier	TO-252
	Type de montage	En surface
	Type de canal	Type N
	Nombre de broches	3
	Température minimum de fonctionnement	-55°C
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO	±20 V
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum	1.95V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Longueur	6.6mm
	Normes/homologations	RoHS
	Hauteur	2.4mm
	Série	H
	Standard automobile	Non
	Energie	221mJ

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Type de produit IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt
	Courant continu de Collecteur maximum lc 10A
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 600V
	Dissipation de puissance maximum Pd 88W
	Type de Boitier TO-252
	Type de montage En surface
	Type de canal Type N
	Nombre de broches 3
	Température minimum de fonctionnement -55°C
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.95V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Longueur 6.6mm
	Normes/homologations RoHS
	Hauteur 2.4mm
	Série H
	Standard automobile Non
	Energie 221mJ

STGB5H60DF, STGD5H60DF, STGF5H60DF, STGP5H60DF, Trench Gate Field-Stop IGBT, H Series 600V, 5A High Speed

Pays d'origine :: CN

Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics

IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics

Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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