IGBT, STGD5H60DF, , 10 A, 600 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 165-8040
- Référence fabricant:
- STGD5H60DF
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,443 € | 1 107,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 165-8040
- Référence fabricant:
- STGD5H60DF
- Marque:
- STMicroelectronics
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Courant continu de Collecteur maximum | 10 A |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 600 V |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V |
| Dissipation de puissance maximum | 83 W |
| Type de boîtier | DPAK (TO-252) |
| Type de montage | CMS |
| Type de canal | N |
| Nombre de broches | 3 |
| Configuration du transistor | Simple |
| Dimensions | 6.6 x 6.2 x 2.4mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Indice énergétique | 221mJ |
| Capacité de grille | 855pF |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C |
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