IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 60 A, 600 V 1 MHz, 3 broches, TO-3PF

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Code commande RS:
168-7090
Référence fabricant:
STGFW30V60DF
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Courant continu de Collecteur maximum lc

60A

Type de produit

IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

600V

Dissipation de puissance maximum Pd

260W

Type de Boitier

TO-3PF

Type de montage

Traversant

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Vitesse de découpage

1MHz

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±20 V

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2.3V

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

15.7mm

Normes/homologations

ECOPACK

Série

V

Hauteur

26.7mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
KR

Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics


IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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