IGBT, STGWT20H65FB, , 40 A, 650 V, TO, 3 broches, Simple

Ces dispositifs sont des IGBT développés à l'aide d'une porte de tranchée propriétaire Advanced et d'une structure d'arrêt de champ. Le dispositif fait partie de la nouvelle série HB d'IGBT, qui représentent un compromis optimal entre les pertes de conduction et de commutation pour maximiser l'efficacité de n'importe quel convertisseur de fréquence. En outre, un coefficient de température VCE(sat) légèrement positif et une distribution de paramètres très serrée permettent un fonctionnement en parallèle plus sûr.

Température de jonction maximale : TJ = 175 °C.
Série de commutation haute vitesse
Courant de queue minimisé
VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 20 A.
Distribution de paramètres serrée
Mise en parallèle sûre
Résistance thermique faible
Boîtier sans plomb