IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt STMicroelectronics, canal N, 40 A, 650 V, 3 broches , TO, montage Traversant
- Code commande RS:
- 192-4809
- Référence fabricant:
- STGWT20H65FB
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 192-4809
- Référence fabricant:
- STGWT20H65FB
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 40A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 168W | |
| Type de Boitier | TO | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Série | HB | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 40A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 168W | ||
Type de Boitier TO | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Série HB | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- KR
Ces dispositifs sont des IGBT développés à l'aide d'une porte de tranchée propriétaire Advanced et d'une structure d'arrêt de champ. Le dispositif fait partie de la nouvelle série HB d'IGBT, qui représentent un compromis optimal entre les pertes de conduction et de commutation pour maximiser l'efficacité de n'importe quel convertisseur de fréquence. En outre, un coefficient de température VCE(sat) légèrement positif et une distribution de paramètres très serrée permettent un fonctionnement en parallèle plus sûr.
Température de jonction maximale : TJ = 175 °C.
Série de commutation haute vitesse
Courant de queue minimisé
VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 20 A.
Distribution de paramètres serrée
Mise en parallèle sûre
Résistance thermique faible
Boîtier sans plomb
Nos clients ont également consulté
- IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt STMicroelectronics 40 A 3 broches montage Traversant
- IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt STMicroelectronics 30 A 3 broches montage
- IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt STMicroelectronics 10 A 3 broches montage En
- IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt STMicroelectronics 60 A 1 MHz TO-3PF, montage
- IGBT à tranchée à arrêt de champ onsemi 80 A 3 broches montage Traversant
- IGBT ROHM 20 A 3 broches montage En surface
- IGBT ROHM 20 A 8 μs TO-263L, montage En surface
- IGBT à arrêt de champ onsemi 80 A 25 ns TO-247, montage Traversant