IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 40 A, 650 V, 3 broches, TO Traversant
- Code commande RS:
- 192-4809
- Référence fabricant:
- STGWT20H65FB
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 2,83 € | 5,66 € |
| 10 - 18 | 2,735 € | 5,47 € |
| 20 - 48 | 2,665 € | 5,33 € |
| 50 - 98 | 2,60 € | 5,20 € |
| 100 + | 2,53 € | 5,06 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 192-4809
- Référence fabricant:
- STGWT20H65FB
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 40A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 168W | |
| Type de Boitier | TO | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Série | HB | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 40A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 168W | ||
Type de Boitier TO | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Série HB | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- KR
Ces dispositifs sont des IGBT développés à l'aide d'une porte de tranchée propriétaire Advanced et d'une structure d'arrêt de champ. Le dispositif fait partie de la nouvelle série HB d'IGBT, qui représentent un compromis optimal entre les pertes de conduction et de commutation pour maximiser l'efficacité de n'importe quel convertisseur de fréquence. En outre, un coefficient de température VCE(sat) légèrement positif et une distribution de paramètres très serrée permettent un fonctionnement en parallèle plus sûr.
Température de jonction maximale : TJ = 175 °C.
Série de commutation haute vitesse
Courant de queue minimisé
VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 20 A.
Distribution de paramètres serrée
Mise en parallèle sûre
Résistance thermique faible
Boîtier sans plomb