IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt STMicroelectronics, canal Type N, 40 A, 650 V, 3 broches , TO, montage
- Code commande RS:
- 192-4809
- Référence fabricant:
- STGWT20H65FB
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
Désolés, nous ne savons pas quand ce produit sera réapprovisionné.
- Code commande RS:
- 192-4809
- Référence fabricant:
- STGWT20H65FB
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 40A | |
| Type de produit | IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 168W | |
| Type de Boitier | TO | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Série | HB | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 40A | ||
Type de produit IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 168W | ||
Type de Boitier TO | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Série HB | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- KR
Ces dispositifs sont des IGBT développés à l'aide d'une porte de tranchée propriétaire Advanced et d'une structure d'arrêt de champ. Le dispositif fait partie de la nouvelle série HB d'IGBT, qui représentent un compromis optimal entre les pertes de conduction et de commutation pour maximiser l'efficacité de n'importe quel convertisseur de fréquence. En outre, un coefficient de température VCE(sat) légèrement positif et une distribution de paramètres très serrée permettent un fonctionnement en parallèle plus sûr.
Température de jonction maximale : TJ = 175 °C.
Série de commutation haute vitesse
Courant de queue minimisé
VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 20 A.
Distribution de paramètres serrée
Mise en parallèle sûre
Résistance thermique faible
Boîtier sans plomb
Nos clients ont également consulté
- IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt Non STMicroelectronicsCanal-Type N 650 V TO Traversant
- IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt Non STMicroelectronicsCanal-Type N 600 V TO-247 Traversant
- IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt Non STMicroelectronicsCanal-Type N 600 V 1 MHz TO-3PF
- IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt STMicroelectronics 10 A 3 broches montage En
- IGBT ROHM 20 A 3 broches montage En surface
- IGBT à tranchée à arrêt de champ AEC-Q101 onsemiCanal-Type N 650 V TO-247 Traversant
- IGBT ROHM 20 A 8 μs TO-263L, montage En surface
- IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N 3 broches, TO-247 Traversant