IGBT, STGD5H60DF, , 10 A, 600 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 906-2798
- Référence fabricant:
- STGD5H60DF
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,786 € | 7,86 € |
| 50 - 90 | 0,745 € | 7,45 € |
| 100 - 240 | 0,671 € | 6,71 € |
| 250 - 490 | 0,605 € | 6,05 € |
| 500 + | 0,575 € | 5,75 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 906-2798
- Référence fabricant:
- STGD5H60DF
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 10 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 600 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 83 W | |
| Type de boîtier | DPAK (TO-252) | |
| Type de montage | CMS | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 6.6 x 6.2 x 2.4mm | |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
| Indice énergétique | 221mJ | |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C | |
| Capacité de grille | 855pF | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Courant continu de Collecteur maximum 10 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 83 W | ||
Type de boîtier DPAK (TO-252) | ||
Type de montage CMS | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 6.6 x 6.2 x 2.4mm | ||
Température de fonctionnement minimum -55 °C | ||
Indice énergétique 221mJ | ||
Température d'utilisation maximum +175 °C | ||
Capacité de grille 855pF | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.