IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt STMicroelectronics, canal Type N, 10 A, 600 V, 3 broches , TO-252, montage En

Voir l’ensemble des IGBT
Actuellement indisponible
Désolés, nous ne savons pas quand ce produit sera réapprovisionné.
Options de conditionnement :
Code commande RS:
906-2798
Référence fabricant:
STGD5H60DF
Marque:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Courant continu de Collecteur maximum lc

10A

Type de produit

IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

600V

Dissipation de puissance maximum Pd

88W

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

En surface

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.95V

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±20 V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Série

H

Hauteur

2.4mm

Longueur

6.6mm

Standard automobile

Non

Energie

221mJ

Pays d'origine :
CN

Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics


IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.