IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 10 A, 600 V, 3 broches, TO-252 Surface
- Code commande RS:
- 906-2798
- Référence fabricant:
- STGD5H60DF
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,786 € | 7,86 € |
| 50 - 90 | 0,745 € | 7,45 € |
| 100 - 240 | 0,671 € | 6,71 € |
| 250 - 490 | 0,605 € | 6,05 € |
| 500 + | 0,575 € | 5,75 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 906-2798
- Référence fabricant:
- STGD5H60DF
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 10A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 600V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 88W | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.95V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Hauteur | 2.4mm | |
| Largeur | 6.2 mm | |
| Longueur | 6.6mm | |
| Série | H | |
| Energie | 221mJ | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 10A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 600V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 88W | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage Surface | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.95V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Hauteur 2.4mm | ||
Largeur 6.2 mm | ||
Longueur 6.6mm | ||
Série H | ||
Energie 221mJ | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.