Circuits intégrés à transistor simple IGBT Infineon, canal N, 30 A, 650 V, 3 broches , TO-263, montage En surface

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

932,00 €

HT

1 118,00 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Informations sur le stock actuellement indisponibles. - Veuillez vérifier plus tard
Unité
Prix par unité
la bobine*
1000 +0,932 €932,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
215-6647
Référence fabricant:
IKB15N65EH5ATMA1
Marque:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Courant continu de Collecteur maximum lc

30A

Type de produit

Circuits intégrés à transistor simple IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

650V

Dissipation de puissance maximum Pd

105W

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

En surface

Type de canal

N

Nombre de broches

3

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.65V

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±30 V

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Série

High Speed Fifth Generation

Normes/homologations

JEDEC47/20/22

Standard automobile

Non

Le transistor bipolaire à grille isolée à commutation haute vitesse Infineon est copacké avec une diode antiparallèle Rapid à courant nominal complet et une tension de coupure de 650 V.

Haut rendement

Faibles pertes de commutation

Plus grande fiabilité

Faible interférence électromagnétique

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.