Circuits intégrés à transistor simple IGBT Infineon, canal Type N, 30 A, 650 V, 3 broches , TO-263, montage En surface

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Code commande RS:
215-6647
Référence fabricant:
IKB15N65EH5ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

Circuits intégrés à transistor simple IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

30A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

650V

Dissipation de puissance maximum Pd

105W

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

En surface

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±30 V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.65V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

JEDEC47/20/22

Série

High Speed Fifth Generation

Standard automobile

Non

Le transistor bipolaire à grille isolée à commutation haute vitesse Infineon est copacké avec une diode antiparallèle Rapid à courant nominal complet et une tension de coupure de 650 V.

Haut rendement

Faibles pertes de commutation

Plus grande fiabilité

Faible interférence électromagnétique

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