IGBT, IKB15N65EH5ATMA1, , 30 A, 650 V, PG-TO263-3, 3 broches
- Code commande RS:
- 215-6647
- Référence fabricant:
- IKB15N65EH5ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
932,00 €
HT
1 118,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 0,932 € | 932,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 215-6647
- Référence fabricant:
- IKB15N65EH5ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 30 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20 V, ±30 V | |
| Dissipation de puissance maximum | 105 W | |
| Type de boîtier | PG-TO263-3 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 30 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20 V, ±30 V | ||
Dissipation de puissance maximum 105 W | ||
Type de boîtier PG-TO263-3 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Le transistor bipolaire à grille isolée à commutation haute vitesse Infineon est copacké avec une diode antiparallèle Rapid à courant nominal complet et une tension de coupure de 650 V.
Haut rendement
Faibles pertes de commutation
Plus grande fiabilité
Faible interférence électromagnétique
Faibles pertes de commutation
Plus grande fiabilité
Faible interférence électromagnétique