IGBT, IKD03N60RFATMA1, , 6,5 A, 600 V, PG-TO252, 3 broches, Simple

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15 - 600,781 €11,72 €
75 - 1350,743 €11,15 €
150 - 3600,711 €10,67 €
375 - 7350,681 €10,22 €
750 +0,633 €9,50 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
226-6093
Référence fabricant:
IKD03N60RFATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Courant continu de Collecteur maximum

6,5 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

600 V

Tension Grille Emetteur maximum

20V

Dissipation de puissance maximum

53,6 W

Nombre de transistors

1

Type de boîtier

PG-TO252

Configuration

Simple

Type de canal

N

Nombre de broches

3

Configuration du transistor

Simple

Infineon IOD03N60RF est plus fiable grâce à l'IGBT et à la diode intégrés de façon monolithique en raison d'un cycle thermique moins élevé pendant la commutation. Il offre des performances de commutation lisses qui permettent un faible niveau IEM et sa plage de fonctionnement est de 4 à 30 kHz.

Distribution de paramètres très serrée
Température de jonction maximale 175 °C.
Capacité de court-circuit de 5 μs

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