IGBT, IKD03N60RFATMA1, , 6,5 A, 600 V, PG-TO252, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 226-6093
- Référence fabricant:
- IKD03N60RFATMA1
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 226-6093
- Référence fabricant:
- IKD03N60RFATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 6,5 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 600 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | 20V | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Dissipation de puissance maximum | 53,6 W | |
| Type de boîtier | PG-TO252 | |
| Configuration | Simple | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 6,5 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum 20V | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Dissipation de puissance maximum 53,6 W | ||
Type de boîtier PG-TO252 | ||
Configuration Simple | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Infineon IOD03N60RF est plus fiable grâce à l'IGBT et à la diode intégrés de façon monolithique en raison d'un cycle thermique moins élevé pendant la commutation. Il offre des performances de commutation lisses qui permettent un faible niveau IEM et sa plage de fonctionnement est de 4 à 30 kHz.
Distribution de paramètres très serrée
Température de jonction maximale 175 °C.
Capacité de court-circuit de 5 μs
Température de jonction maximale 175 °C.
Capacité de court-circuit de 5 μs