IGBT, IKQ120N60TXKSA1, , 160 A, 600 V, PG-TO247, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 226-6108
- Référence fabricant:
- IKQ120N60TXKSA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 tube de 30 unités)*
269,55 €
HT
323,46 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 25 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 8,985 € | 269,55 € |
| 60 - 60 | 8,536 € | 256,08 € |
| 90 + | 8,176 € | 245,28 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 226-6108
- Référence fabricant:
- IKQ120N60TXKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 160 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 600 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | 20V | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Dissipation de puissance maximum | 833 W | |
| Type de boîtier | PG-TO247 | |
| Configuration | Simple | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 160 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum 20V | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Dissipation de puissance maximum 833 W | ||
Type de boîtier PG-TO247 | ||
Configuration Simple | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Infineon IKQ120N60T est doté d'un IGBT à commutation rigide 600 V discret avec diode antiparallèle utilisée d'un Ic à densité de puissance système plus élevée qui augmente, conservant les mêmes performances thermiques du système et offre une plus grande fiabilité avec une durée de vie étendue du dispositif.
Surface de tampon thermique active 35 % plus grande pour une résistance thermique jusqu'à 20 % plus faible R th(jh)
Distance de fuite étendue de 4,25 mm - 2 mm de plus que TO-247
Distance de fuite étendue de 4,25 mm - 2 mm de plus que TO-247
