IGBT, FGH4L40T120LQD, , 80 A, 1200 V, TO-247
- Code commande RS:
- 241-0723
- Référence fabricant:
- FGH4L40T120LQD
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 241-0723
- Référence fabricant:
- FGH4L40T120LQD
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 80 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | 20V | |
| Nombre de transistors | 30 | |
| Dissipation de puissance maximum | 153 W | |
| Type de boîtier | TO-247 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Courant continu de Collecteur maximum 80 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1200 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum 20V | ||
Nombre de transistors 30 | ||
Dissipation de puissance maximum 153 W | ||
Type de boîtier TO-247 | ||
IGBT à arrêt ultra champ Semi-conducteur ON, 1 200 V, 40 A. Cet IGBT utilise une diode co-emballée à commutation rapide, ce qui le rend idéal pour une utilisation dans les applications à commutation dure, où EON, IRRM et trr sont des facteurs importants déterminant les pertes. Les IGBT arrêt ultra champ offrent d'excellentes pertes de commutation pour les dispositifs à faible perte de conduction.
Faible VCE(SAT) 1,55 V à 40 A
EON 1,04 mJ à 600 V/40
AEOFF 1,35 mJ à 600 V/40
AIRRM 41,3 A à 175 °C 1 A/ns 40 A
EON 1,04 mJ à 600 V/40
AEOFF 1,35 mJ à 600 V/40
AIRRM 41,3 A à 175 °C 1 A/ns 40 A