IGBT, FGH4L40T120LQD, , 80 A, 1200 V, TO-247

IGBT à arrêt ultra champ Semi-conducteur ON, 1 200 V, 40 A. Cet IGBT utilise une diode co-emballée à commutation rapide, ce qui le rend idéal pour une utilisation dans les applications à commutation dure, où EON, IRRM et trr sont des facteurs importants déterminant les pertes. Les IGBT arrêt ultra champ offrent d'excellentes pertes de commutation pour les dispositifs à faible perte de conduction.

Faible VCE(SAT) 1,55 V à 40 A
EON 1,04 mJ à 600 V/40
AEOFF 1,35 mJ à 600 V/40
AIRRM 41,3 A à 175 °C 1 A/ns 40 A