IGBT, STGYA50H120DF2, , 50 A, 1200 V, Max247 long leads
- Code commande RS:
- 244-3195
- Référence fabricant:
- STGYA50H120DF2
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 4 | 6,51 € |
| 5 - 9 | 6,33 € |
| 10 - 24 | 6,17 € |
| 25 - 49 | 6,00 € |
| 50 + | 5,86 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 244-3195
- Référence fabricant:
- STGYA50H120DF2
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 50 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 535 W | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Configuration | Série | |
| Type de boîtier | Max247 long leads | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Courant continu de Collecteur maximum 50 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1200 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 535 W | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Configuration Série | ||
Type de boîtier Max247 long leads | ||
The STMicroelectronics IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. This device is part of the H series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Moreover, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
Maximum junction temperature TJ = 175 °C
5 μs of short-circuit withstand time
Low VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 50 A
Tight parameter distribution
Positive VCE(sat) temperature coefficient
Low thermal resistance
Very fast recovery antiparallel diode
5 μs of short-circuit withstand time
Low VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 50 A
Tight parameter distribution
Positive VCE(sat) temperature coefficient
Low thermal resistance
Very fast recovery antiparallel diode