IGBT Non STMicroelectronics, 1200 V 5 μs, 3 broches
- Code commande RS:
- 244-3195
- Référence fabricant:
- STGYA50H120DF2
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 4 | 6,51 € |
| 5 - 9 | 6,33 € |
| 10 - 24 | 6,17 € |
| 25 - 49 | 6,00 € |
| 50 + | 5,86 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 244-3195
- Référence fabricant:
- STGYA50H120DF2
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1200V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 535W | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 5μs | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2.1V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Série | H | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 535W | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 5μs | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.1V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Série H | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
L'IGBT STMicroelectronics développé à l'aide d'une structure Advanced propriétaire d'arrêt de champ à porte à tranchée. Ce dispositif fait partie de la série H d'IGBT, qui représentent un compromis optimal entre les pertes de conduction et de commutation pour maximiser l'efficacité des convertisseurs de fréquence de commutation élevée. En outre, un coefficient de température VCE(sat) légèrement positif et une distribution de paramètres très serrée permettent un fonctionnement en parallèle plus sûr.
Température de jonction maximale TJ = 175 °C.
5 μs de temps de résistance aux courts-circuits
Faible VCE(sat) = 2,1 V (typ.) @ IC = 50 A.
Distribution de paramètres serrée
Coefficient de température VCE(sat) positif
Résistance thermique faible
Diode antiparallèle à récupération très rapide