Module IGBT Non InfineonCanal-Type N, 580 A, 1200 V 0.04 μs, AG-62MM-1 Serre-joints
- Code commande RS:
- 111-6085
- Référence fabricant:
- FF400R12KE3HOSA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 111-6085
- Référence fabricant:
- FF400R12KE3HOSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | Module IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 580A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1200V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2000W | |
| Type de Boitier | AG-62MM-1 | |
| Type de montage | Serre-joints | |
| Type de canal | Type N | |
| Vitesse de découpage | 0.04μs | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2.15V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Série | 62_MMC | |
| Longueur | 106.4mm | |
| Hauteur | 30.9mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit Module IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 580A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2000W | ||
Type de Boitier AG-62MM-1 | ||
Type de montage Serre-joints | ||
Type de canal Type N | ||
Vitesse de découpage 0.04μs | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.15V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Série 62_MMC | ||
Longueur 106.4mm | ||
Hauteur 30.9mm | ||
Standard automobile Non | ||
Module IGBT Infineon, courant de collecteur continu maximal de 580A, tension d'émetteur de collecteur maximale de 1200V - FF400R12KE3HOSA1
Ce module IGBT est conçu pour améliorer les performances dans diverses applications industrielles. Avec des dimensions de 106,4 x 61,4 x 30,9 mm, il combine un rendement élevé avec des spécifications robustes, offrant un courant collecteur continu maximum de 580A et une tension collecteur-émetteur de 1200V. Sa conception permet une intégration efficace dans les circuits électroniques de puissance, ce qui en fait un choix idéal pour ceux qui ont besoin de solutions IGBT modulaires fiables.
Caractéristiques et avantages
• La tension maximale de l'émetteur de grille de ±20V offre une grande souplesse d'utilisation
• Capacité de dissipation d'énergie élevée de 2 kW pour répondre aux exigences les plus élevées
• Conçue pour être montée sur panneau, elle est facile à installer dans divers environnements
• La configuration en série optimise l'espace et l'efficacité opérationnelle
Applications
• Utilisé dans les circuits d'onduleurs pour les machines industrielles
• Optimisé pour les systèmes d'énergie renouvelable, tels que les onduleurs solaires
• Efficace dans le domaine des véhicules électriques et des systèmes de propulsion
• Utilisé dans les équipements d'automatisation à usage intensif où le courant élevé est vital
Quelles sont les spécifications de résistance thermique de ce module ?
La résistance thermique entre la jonction et le boîtier est de 0,062 K/W, et entre le boîtier et le dissipateur thermique de 0,031 K/W, ce qui garantit une dissipation efficace de la chaleur pendant le fonctionnement.
Comment ce module IGBT se comporte-t-il en cas de variations de température ?
Avec une température de fonctionnement maximale de +125°C et minimale de -40°C, il convient à diverses conditions environnementales et à des applications exigeantes.
Quelles sont les implications du courant nominal élevé du collecteur ?
Avec un courant collecteur continu maximum de 580A, ce module IGBT peut supporter des charges importantes, ce qui le rend idéal pour les applications IGBT à courant élevé dans les environnements industriels.
Ce module peut-il gérer efficacement les opérations de commutation rapide ?
Oui, la faible capacité de grille de 28nF et les capacités d'entraînement de grille spécifiées permettent une commutation rapide et efficace, augmentant ainsi les performances des composants électroniques de puissance dans les circuits.
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