Module IGBT, FF400R12KE3HOSA1, , 580 A, 1200 V, AG-62MM-1, Série

Ce module IGBT est conçu pour améliorer les performances dans diverses applications industrielles. Avec des dimensions de 106,4 x 61,4 x 30,9 mm, il combine un rendement élevé avec des spécifications robustes, offrant un courant collecteur continu maximum de 580A et une tension collecteur-émetteur de 1200V. Sa conception permet une intégration efficace dans les circuits électroniques de puissance, ce qui en fait un choix idéal pour ceux qui ont besoin de solutions IGBT modulaires fiables.

• La tension maximale de l'émetteur de grille de ±20V offre une grande souplesse d'utilisation
• Capacité de dissipation d'énergie élevée de 2 kW pour répondre aux exigences les plus élevées
• Conçue pour être montée sur panneau, elle est facile à installer dans divers environnements
• La configuration en série optimise l'espace et l'efficacité opérationnelle

• Utilisé dans les circuits d'onduleurs pour les machines industrielles
• Optimisé pour les systèmes d'énergie renouvelable, tels que les onduleurs solaires
• Efficace dans le domaine des véhicules électriques et des systèmes de propulsion
• Utilisé dans les équipements d'automatisation à usage intensif où le courant élevé est vital

La résistance thermique entre la jonction et le boîtier est de 0,062 K/W, et entre le boîtier et le dissipateur thermique de 0,031 K/W, ce qui garantit une dissipation efficace de la chaleur pendant le fonctionnement.

Avec une température de fonctionnement maximale de +125°C et minimale de -40°C, il convient à diverses conditions environnementales et à des applications exigeantes.

Avec un courant collecteur continu maximum de 580A, ce module IGBT peut supporter des charges importantes, ce qui le rend idéal pour les applications IGBT à courant élevé dans les environnements industriels.

Oui, la faible capacité de grille de 28nF et les capacités d'entraînement de grille spécifiées permettent une commutation rapide et efficace, augmentant ainsi les performances des composants électroniques de puissance dans les circuits.

IGBT Discretes et modules, Infineon

Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.