Module IGBT, F3L150R07W2H3B11BPSA1, , 85 A, 650 V

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
248-1202
Référence fabricant:
F3L150R07W2H3B11BPSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Courant continu de Collecteur maximum

85 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

650 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Nombre de transistors

4

Dissipation de puissance maximum

20 mW

Infineon fabrique ce module IGBT 3 niveaux EasyPACK 2B 650 V, 100 A avec IGBT Trench/Fieldtop H3, diode rapide et PressFIT / CTN. Ce dispositif offre une conception compacte facile à utiliser et des performances optimisées. Le dispositif fournit des avantages supplémentaires tels qu'une capacité de tension de blocage accrue jusqu'à 650 V, une conception à faible inductivité, de faibles pertes de commutation et une faible VCE, sat. Il utilise un substrat Al2O3 avec une faible résistance thermique et la technologie de contact PressFIT. Ce dispositif offre un montage robuste grâce à la pince de montage intégrée. Ce dispositif utilise la technologie IGBT HighSpeed 3.

Meilleur rapport coût/performance avec des coûts de système réduits
Haut degré de liberté de conception
Rendement et densité de puissance les plus élevés

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