IGBT STMicroelectronics, 50 A, 1.2 kV, 3 broches , montage Traversant
- Code commande RS:
- 248-4895
- Référence fabricant:
- STGYA50M120DF3
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 5,998 € | 179,94 € |
| 150 + | 5,924 € | 177,72 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 248-4895
- Référence fabricant:
- STGYA50M120DF3
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 50A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1.2kV | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 535W | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.7V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 15.9mm | |
| Série | STGYA50M120DF3 | |
| Largeur | 21.1mm | |
| Hauteur | 5.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 50A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1.2kV | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 535W | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.7V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 15.9mm | ||
Série STGYA50M120DF3 | ||
Largeur 21.1mm | ||
Hauteur 5.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le produit STMicroelectronics est un IGBT développé en utilisant une structure d'arrêt de champ de grille de tranchée propriétaire de pointe. Le dispositif fait partie des IGBTs de la série M, qui représentent un équilibre optimal entre les performances du système d'inverseur et l'efficacité lorsque la faible perte et la fonctionnalité de court-circuit sont essentielles. En outre, un coefficient de température VCEsat légèrement positif et une distribution resserrée des paramètres permettent un fonctionnement en parallèle plus sûr.
Température de jonction maximale de 175 degrés C
10 μs de temps de résistance aux courts-circuits
Faible VCEsat
Distribution resserrée des paramètres
Coefficient de température VCEsat positif
Faible résistance thermique
Diode antiparallèle souple et à récupération rapide
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