IGBT, STGYA50M120DF3, , 100 A, 1 200 V, Max247
- Code commande RS:
- 248-4895
- Référence fabricant:
- STGYA50M120DF3
- Marque:
- STMicroelectronics
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Sous-total (1 tube de 30 unités)*
191,28 €
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 6,376 € | 191,28 € |
| 60 - 60 | 6,21 € | 186,30 € |
| 90 + | 6,057 € | 181,71 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 248-4895
- Référence fabricant:
- STGYA50M120DF3
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 100 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1 200 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | 20V | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Dissipation de puissance maximum | 535 W | |
| Type de boîtier | Max247 | |
| Configuration | Simple | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Courant continu de Collecteur maximum 100 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1 200 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum 20V | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Dissipation de puissance maximum 535 W | ||
Type de boîtier Max247 | ||
Configuration Simple | ||
Le produit STMicroelectronics est un IGBT développé en utilisant une structure d'arrêt de champ de grille de tranchée propriétaire de pointe. Le dispositif fait partie des IGBTs de la série M, qui représentent un équilibre optimal entre les performances du système d'inverseur et l'efficacité lorsque la faible perte et la fonctionnalité de court-circuit sont essentielles. En outre, un coefficient de température VCEsat légèrement positif et une distribution resserrée des paramètres permettent un fonctionnement en parallèle plus sûr.
Température de jonction maximale de 175 degrés C
10 μs de temps de résistance aux courts-circuits
Faible VCEsat
Distribution resserrée des paramètres
Coefficient de température VCEsat positif
Faible résistance thermique
Diode antiparallèle souple et à récupération rapide
10 μs de temps de résistance aux courts-circuits
Faible VCEsat
Distribution resserrée des paramètres
Coefficient de température VCEsat positif
Faible résistance thermique
Diode antiparallèle souple et à récupération rapide