IGBT Non STMicroelectronics, 50 A, 1200 V, 3 broches Traversant
- Code commande RS:
- 248-4895
- Référence fabricant:
- STGYA50M120DF3
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 6,376 € | 191,28 € |
| 60 - 60 | 6,21 € | 186,30 € |
| 90 + | 6,057 € | 181,71 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 248-4895
- Référence fabricant:
- STGYA50M120DF3
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 50A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1200V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 535W | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.7V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Hauteur | 5.1mm | |
| Largeur | 21.1 mm | |
| Longueur | 15.9mm | |
| Série | STGYA50M120DF3 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 50A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 535W | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.7V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Hauteur 5.1mm | ||
Largeur 21.1 mm | ||
Longueur 15.9mm | ||
Série STGYA50M120DF3 | ||
Standard automobile Non | ||
Le produit STMicroelectronics est un IGBT développé en utilisant une structure d'arrêt de champ de grille de tranchée propriétaire de pointe. Le dispositif fait partie des IGBTs de la série M, qui représentent un équilibre optimal entre les performances du système d'inverseur et l'efficacité lorsque la faible perte et la fonctionnalité de court-circuit sont essentielles. En outre, un coefficient de température VCEsat légèrement positif et une distribution resserrée des paramètres permettent un fonctionnement en parallèle plus sûr.
Température de jonction maximale de 175 degrés C
10 μs de temps de résistance aux courts-circuits
Faible VCEsat
Distribution resserrée des paramètres
Coefficient de température VCEsat positif
Faible résistance thermique
Diode antiparallèle souple et à récupération rapide