Références fabricant

IGBT Infineon, canal N, 50 A, 1200 V, 3 broches , TO-247, montage Traversant

Code commande RS:: 165-8131
Référence fabricant:: IKW25N120H3FKSA1
Marque:: Infineon

IGBT Infineon, canal N, 50 A, 1200 V, 3 broches , TO-247, montage Traversant

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30 - 30	4,092 €	122,76 €
60 - 120	3,887 €	116,61 €
150 +	3,724 €	111,72 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 165-8131
Référence fabricant:: IKW25N120H3FKSA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	IGBT
	Courant continu de Collecteur maximum lc	50A
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo	1200V
	Dissipation de puissance maximum Pd	326W
	Type de Boitier	TO-247
	Type de montage	Traversant
	Type de canal	N
	Nombre de broches	3
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO	±20 V
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum	2.7V
	Température minimum de fonctionnemen	-40°C
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Série	TrenchStop
	Normes/homologations	RoHS, Pb-free lead plating, JEDEC
	Energie	4.3mJ
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit IGBT
	Courant continu de Collecteur maximum lc 50A
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V
	Dissipation de puissance maximum Pd 326W
	Type de Boitier TO-247
	Type de montage Traversant
	Type de canal N
	Nombre de broches 3
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.7V
	Température minimum de fonctionnemen -40°C
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Série TrenchStop
	Normes/homologations RoHS, Pb-free lead plating, JEDEC
	Energie 4.3mJ
	Standard automobile Non

IKW25N120H3 High Speed DuoPack

Pays d'origine :: MY

Transistors IGBT TrenchStop d'Infineon, 1 100 à 1 600 V

Une gamme de transistors IGBT d'Infineon avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 1 100 à 1 600 V comportant la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.

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IGBT Discretes et modules, Infineon

Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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