Module transistor IGBT, IKW50N65RH5XKSA1, , 50 A, 650 V, PG-TO247-3

Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 unité)*

6,55 €

HT

7,86 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • 227 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 - 96,55 €
10 - 246,23 €
25 - 495,95 €
50 - 995,70 €
100 +5,30 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
249-6941
Référence fabricant:
IKW50N65RH5XKSA1
Marque:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Courant continu de Collecteur maximum

50 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

650 V

Tension Grille Emetteur maximum

15V

Dissipation de puissance maximum

305 W

Nombre de transistors

2

Type de boîtier

PG-TO247-3

Configuration

Simple

L'IGBT TRENCHSTOP5 H5 d'Infineon est fourni avec une diode barrière Schottky CoolSiCTM de la 6e génération à moitié capacité. Pertes de commutation ultra-faibles grâce à la combinaison de la technologie TRENCHSTOPTM5 et CoolSiCTM. Rendement de référence dans les topologies de commutation dures. Remplacement Plug-and-Play des dispositifs en silicium pur. Température de jonction maximale : 175 °C

Alimentations industrielles
SMPS industriel
Génération d'énergie
Inverseur de chaîne solaire
Distribution d'énergie - stockage d'énergie
Charge d'infrastructure - Chargeur

Nos clients ont également consulté