Module IGBT, FF750R17ME7DB11BPSA1, , 750 A, 1700 V
- Code commande RS:
- 250-0225
- Référence fabricant:
- FF750R17ME7DB11BPSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 1 | 256,77 € |
| 2 - 2 | 243,92 € |
| 3 + | 233,66 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 250-0225
- Référence fabricant:
- FF750R17ME7DB11BPSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 750 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1700 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 20 mW | |
| Nombre de transistors | 2 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 750 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1700 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 20 mW | ||
Nombre de transistors 2 | ||
Module IGBT7 double TRENCHSTOP™ 750 A 1.700 V Infineon EconoDUAL™ 3 avec 7 diodes contrôlées par émetteur élargi, technologie de contact NTC et PressFIT.
Capteur de température intégré
Haute densité de courant
Faible VCE, satellite
Fonctionnement surcharge jusqu'à 175°C
TRENCHSTOPTM IGBT7
VCE, satellite avec coefficient de température positif
Diode élargie pour fonctionnement régénératif
Haute densité de puissance
Plaque de base isolée
Technologie de contact PressFIT
Boîtier standard
Haute densité de courant
Faible VCE, satellite
Fonctionnement surcharge jusqu'à 175°C
TRENCHSTOPTM IGBT7
VCE, satellite avec coefficient de température positif
Diode élargie pour fonctionnement régénératif
Haute densité de puissance
Plaque de base isolée
Technologie de contact PressFIT
Boîtier standard