Module IGBT Non Infineon, 750 A, 1700 V, EconoDUALTM3 2
- Code commande RS:
- 250-0225
- Référence fabricant:
- FF750R17ME7DB11BPSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 1 | 232,72 € |
| 2 - 2 | 226,75 € |
| 3 + | 221,09 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 250-0225
- Référence fabricant:
- FF750R17ME7DB11BPSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | Module IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 750A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1700V | |
| Nombre de transistors | 2 | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 20mW | |
| Type de Boitier | EconoDUALTM3 | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2.1V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Série | FF | |
| Normes/homologations | 60749 and 60068, IEC 60747 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit Module IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 750A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1700V | ||
Nombre de transistors 2 | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 20mW | ||
Type de Boitier EconoDUALTM3 | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.1V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Série FF | ||
Normes/homologations 60749 and 60068, IEC 60747 | ||
Standard automobile Non | ||
Module IGBT7 double TRENCHSTOP™ 750 A 1.700 V Infineon EconoDUAL™ 3 avec 7 diodes contrôlées par émetteur élargi, technologie de contact NTC et PressFIT.
Capteur de température intégré
Haute densité de courant
Faible VCE, satellite
Fonctionnement surcharge jusqu'à 175°C
TRENCHSTOPTM IGBT7
VCE, satellite avec coefficient de température positif
Diode élargie pour fonctionnement régénératif
Haute densité de puissance
Plaque de base isolée
Technologie de contact PressFIT
Boîtier standard