IGBT Non Bourns, 600 V, TO-252

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

6,91 €

HT

8,29 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • Plus 2 430 unité(s) expédiée(s) à partir du 13 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 +1,382 €6,91 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
253-3500
Référence fabricant:
BIDD05N60T
Marque:
Bourns
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Bourns

Type de produit

IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

600V

Dissipation de puissance maximum Pd

82W

Type de Boitier

TO-252

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±30 V

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS Compliant

Série

BIDD05N60T

Standard automobile

Non

Le transistor bipolaire à grille isolé (IGBT) de la marque Bourns combine la technologie d'une porte MOS et d'un transistor bipolaire afin de vous proposer un composant idéal pour les applications haute tension et haute intensité. Ce transistor utilise la technologie Trench-Gate Field-Stop pour un meilleur contrôle des caractéristiques dynamiques, ce qui se traduit par une tension de saturation de collecteur-émetteur (VCE(sat)) plus faible et moins de pertes de commutation. En outre, cette structure améliore la robustesse du transistor.

600 V, 5 A, faible tension de saturation du collecteur-émetteur VCE(sat)

Technologie Trench-Gate Field-Stop

Optimisé pour la conduction

Robuste

Conforme à la directive RoHS

Nos clients ont également consulté