IGBT Bourns, 40 A, 600 V, TO-247
- Code commande RS:
- 253-3504
- Référence fabricant:
- BIDW20N60T
- Marque:
- Bourns
Sous-total (1 tube de 600 unités)*
1 478,40 €
HT
1 774,20 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 1 800 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 600 + | 2,464 € | 1 478,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 253-3504
- Référence fabricant:
- BIDW20N60T
- Marque:
- Bourns
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Bourns | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 40A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 600V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 192W | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.9V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Série | BIDW20N60T | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Bourns | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 40A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 600V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 192W | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.9V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Série BIDW20N60T | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor bipolaire à grille isolé (IGBT) de la marque Bourns combine la technologie d'une porte MOS et d'un transistor bipolaire afin de vous proposer un composant idéal pour les applications haute tension et haute intensité. Ce transistor utilise la technologie Trench-Gate Field-Stop pour un meilleur contrôle des caractéristiques dynamiques, ce qui se traduit par une perte de conduction plus faible et moins de pertes de commutation. En outre, cette structure offre un coefficient de température positif.
600 V, 20 A, faible tension de saturation de l'émetteur-collecteur (VCE(sat))
Technologie Trench-Gate Field-Stop
Optimisé pour la conduction
Faibles pertes de commutation
Conforme à la directive RoHS
Nos clients ont également consulté
- IGBT Bourns 600 V, TO-247
- IGBT Bourns 600 V, TO-247
- IGBT Bourns 600 V TO-247
- IGBT Bourns 650 V, TO-247
- IGBT STMicroelectronics 40 A 3 broches montage Traversant
- IGBT Infineon 600 V PG-TO-247, montage Traversant
- IGBT IXYS 48 A 40 kHz TO-247, montage Traversant
- IGBT Infineon 40 A 227 ns TO-247, montage Traversant
