IGBT, BIDW20N60T, , 20 A, 600 V, TO-247

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Code commande RS:
253-3504
Référence fabricant:
BIDW20N60T
Marque:
Bourns
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Marque

Bourns

Courant continu de Collecteur maximum

20 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

600 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Nombre de transistors

1

Dissipation de puissance maximum

192 W

Type de boîtier

TO-247

Configuration

Diode simple

Le transistor bipolaire à grille isolé (IGBT) de la marque Bourns combine la technologie d'une porte MOS et d'un transistor bipolaire afin de vous proposer un composant idéal pour les applications haute tension et haute intensité. Ce transistor utilise la technologie Trench-Gate Field-Stop pour un meilleur contrôle des caractéristiques dynamiques, ce qui se traduit par une perte de conduction plus faible et moins de pertes de commutation. En outre, cette structure offre un coefficient de température positif.

600 V, 20 A, faible tension de saturation de l'émetteur-collecteur (VCE(sat))

Technologie Trench-Gate Field-Stop

Optimisé pour la conduction

Faibles pertes de commutation

Conforme à la directive RoHS

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