IGBT, BIDW30N60T, , 30 A, 600 V, TO-247
- Code commande RS:
- 253-3507
- Référence fabricant:
- BIDW30N60T
- Marque:
- Bourns
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Prix pour l'unité (par multiple de 2)
3,85 €
HT
4,62 €
TTC
| Unité | Prix par unité | le paquet* |
| 2 - 8 | 3,85 € | 7,70 € |
| 10 - 48 | 3,47 € | 6,94 € |
| 50 - 98 | 3,265 € | 6,53 € |
| 100 - 248 | 2,85 € | 5,70 € |
| 250 + | 2,795 € | 5,59 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 253-3507
- Référence fabricant:
- BIDW30N60T
- Marque:
- Bourns
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Le transistor bipolaire à grille isolé (IGBT) de la marque Bourns combine la technologie d'une porte MOS et d'un transistor bipolaire afin de vous proposer un composant idéal pour les applications haute tension et haute intensité. Ce transistor utilise la technologie Trench-Gate Field-Stop pour un meilleur contrôle des caractéristiques dynamiques, ce qui se traduit par une tension de saturation de collecteur-émetteur (VCE(sat)) plus faible et moins de pertes de commutation. En outre, cette structure offre une résistance thermique R(th) plus faible.
600 V, 30 A, faible tension de saturation de l'émetteur-collecteur (VCE(sat))
Technologie Trench-Gate Field-Stop
Optimisé pour la conduction
Conforme à la directive RoHS
Technologie Trench-Gate Field-Stop
Optimisé pour la conduction
Conforme à la directive RoHS
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Courant continu de Collecteur maximum | 30 A |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 600 V |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V |
| Dissipation de puissance maximum | 230 W |
| Nombre de transistors | 1 |
| Type de boîtier | TO-247 |
| Configuration | Diode simple |