IGBT Non Bourns, 100 A, 650 V, TO-247

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50 - 983,415 €
100 - 2482,975 €
250 +2,915 €

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Code commande RS:
253-3509P
Référence fabricant:
BIDW50N65T
Marque:
Bourns
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Marque

Bourns

Type de produit

IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

100A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

650V

Type de Boitier

TO-247

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±20 V (Gate-Emitter Voltage VGE )

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.65V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS Compliant

Standard automobile

Non

Le transistor bipolaire à grille isolé (IGBT) de la marque Bourns combine la technologie d'une porte MOS et d'un transistor bipolaire afin de vous proposer un composant idéal pour les applications haute tension et haute intensité. Ce transistor utilise la technologie Trench-Gate Field-Stop pour un meilleur contrôle des caractéristiques dynamiques, ce qui se traduit par une tension de saturation de collecteur-émetteur (VCE(sat)) plus faible et moins de pertes de commutation. En outre, cette structure offre une résistance thermique R(th) plus faible.

650 V, 50 A, faible tension de saturation de l'émetteur-collecteur (VCE(sat))

Technologie Trench-Gate Field-Stop

Optimisé pour la conduction

Conforme à la directive RoHS

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