IGBT, BIDW50N65T, , 50 A, 650 V, TO-247
- Code commande RS:
- 253-3509P
- Référence fabricant:
- BIDW50N65T
- Marque:
- Bourns
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 10 - 48 | 4,53 € |
| 50 - 98 | 4,275 € |
| 100 - 248 | 3,72 € |
| 250 + | 3,645 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 253-3509P
- Référence fabricant:
- BIDW50N65T
- Marque:
- Bourns
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Bourns | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 50 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Dissipation de puissance maximum | 416 W | |
| Type de boîtier | TO-247 | |
| Configuration | Diode simple | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Bourns | ||
Courant continu de Collecteur maximum 50 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Dissipation de puissance maximum 416 W | ||
Type de boîtier TO-247 | ||
Configuration Diode simple | ||
Le transistor bipolaire à grille isolé (IGBT) de la marque Bourns combine la technologie d'une porte MOS et d'un transistor bipolaire afin de vous proposer un composant idéal pour les applications haute tension et haute intensité. Ce transistor utilise la technologie Trench-Gate Field-Stop pour un meilleur contrôle des caractéristiques dynamiques, ce qui se traduit par une tension de saturation de collecteur-émetteur (VCE(sat)) plus faible et moins de pertes de commutation. En outre, cette structure offre une résistance thermique R(th) plus faible.
650 V, 50 A, faible tension de saturation de l'émetteur-collecteur (VCE(sat))
Technologie Trench-Gate Field-Stop
Optimisé pour la conduction
Conforme à la directive RoHS
Technologie Trench-Gate Field-Stop
Optimisé pour la conduction
Conforme à la directive RoHS