IGBT Non Bourns, 30 A, 600 V, TO-247
- Code commande RS:
- 253-3503P
- Référence fabricant:
- BIDNW30N60H3
- Marque:
- Bourns
Sous-total 2 unités (conditionné en tube)*
4,91 €
HT
5,892 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 2 294 unité(s) expédiée(s) à partir du 23 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 2 + | 2,455 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 253-3503P
- Référence fabricant:
- BIDNW30N60H3
- Marque:
- Bourns
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Bourns | |
| Type de produit | IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 30A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 600V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 230W | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Série | BIDNW30N60H3 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Bourns | ||
Type de produit IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 30A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 600V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 230W | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Série BIDNW30N60H3 | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor bipolaire à grille isolé (IGBT) de la marque Bourns combine la technologie d'une porte MOS et d'un transistor bipolaire afin de vous proposer un composant idéal pour les applications haute tension et haute intensité. Ce transistor utilise la technologie Trench-Gate Field-Stop pour un meilleur contrôle des caractéristiques dynamiques, ce qui se traduit par une tension de saturation de collecteur-émetteur (VCE(sat)) plus faible et moins de pertes de commutation.
600 V, 30 A, faible tension de saturation de l'émetteur-collecteur (VCE(sat))
Technologie Trench-Gate Field-Stop
Faible perte de commutation
Commutation rapide
Conforme à la directive RoHS