IGBT Non Bourns, 100 A, 650 V, TO-247
- Code commande RS:
- 253-3508
- Référence fabricant:
- BIDW50N65T
- Marque:
- Bourns
Sous-total (1 tube de 600 unités)*
1 546,20 €
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1 855,20 €
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 600 + | 2,577 € | 1 546,20 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 253-3508
- Référence fabricant:
- BIDW50N65T
- Marque:
- Bourns
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Bourns | |
| Type de produit | IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 100A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.65V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 V (Gate-Emitter Voltage VGE ) | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Bourns | ||
Type de produit IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 100A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.65V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V (Gate-Emitter Voltage VGE ) | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor bipolaire à grille isolé (IGBT) de la marque Bourns combine la technologie d'une porte MOS et d'un transistor bipolaire afin de vous proposer un composant idéal pour les applications haute tension et haute intensité. Ce transistor utilise la technologie Trench-Gate Field-Stop pour un meilleur contrôle des caractéristiques dynamiques, ce qui se traduit par une tension de saturation de collecteur-émetteur (VCE(sat)) plus faible et moins de pertes de commutation. En outre, cette structure offre une résistance thermique R(th) plus faible.
650 V, 50 A, faible tension de saturation de l'émetteur-collecteur (VCE(sat))
Technologie Trench-Gate Field-Stop
Optimisé pour la conduction
Conforme à la directive RoHS