IGBT, BIDW50N65T, , 50 A, 650 V, TO-247

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Code commande RS:
253-3508
Référence fabricant:
BIDW50N65T
Marque:
Bourns
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Marque

Bourns

Courant continu de Collecteur maximum

50 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

650 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Dissipation de puissance maximum

416 W

Nombre de transistors

1

Configuration

Diode simple

Type de boîtier

TO-247

Le transistor bipolaire à grille isolé (IGBT) de la marque Bourns combine la technologie d'une porte MOS et d'un transistor bipolaire afin de vous proposer un composant idéal pour les applications haute tension et haute intensité. Ce transistor utilise la technologie Trench-Gate Field-Stop pour un meilleur contrôle des caractéristiques dynamiques, ce qui se traduit par une tension de saturation de collecteur-émetteur (VCE(sat)) plus faible et moins de pertes de commutation. En outre, cette structure offre une résistance thermique R(th) plus faible.

650 V, 50 A, faible tension de saturation de l'émetteur-collecteur (VCE(sat))
Technologie Trench-Gate Field-Stop
Optimisé pour la conduction
Conforme à la directive RoHS

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