IGBT Non Bourns, 60 A, 600 V, 3 broches, TO-247
- Code commande RS:
- 253-3506
- Référence fabricant:
- BIDW30N60T
- Marque:
- Bourns
Sous-total (1 tube de 600 unités)*
1 198,80 €
HT
1 438,80 €
TTC
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 600 + | 1,998 € | 1 198,80 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 253-3506
- Référence fabricant:
- BIDW30N60T
- Marque:
- Bourns
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Bourns | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 60A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 600V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 230W | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.9V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS 2015/863, 2015 and Annex, Mar 31 | |
| Série | BIDW30N60T | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Bourns | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 60A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 600V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 230W | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.9V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS 2015/863, 2015 and Annex, Mar 31 | ||
Série BIDW30N60T | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor bipolaire à grille isolé (IGBT) de la marque Bourns combine la technologie d'une porte MOS et d'un transistor bipolaire afin de vous proposer un composant idéal pour les applications haute tension et haute intensité. Ce transistor utilise la technologie Trench-Gate Field-Stop pour un meilleur contrôle des caractéristiques dynamiques, ce qui se traduit par une tension de saturation de collecteur-émetteur (VCE(sat)) plus faible et moins de pertes de commutation. En outre, cette structure offre une résistance thermique R(th) plus faible.
600 V, 30 A, faible tension de saturation de l'émetteur-collecteur (VCE(sat))
Technologie Trench-Gate Field-Stop
Optimisé pour la conduction
Conforme à la directive RoHS
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